COMPROBANDO PRUEBA DE ENCENDIDO EN MOSFETs

[latinphoenix7]

Hola chicos!
He estado haciendo la prueba de encendido/disparo/swichting o como se llame a ALGUNOS Mosfets con un multitester digital pero tengo una pequeña duda.
La prueba de encendido se puede hacer de 2 maneras:

1) punta negra en el surtidor, punta roja en el drenador ahi marca 1 a causa del diodo interno del mosfet, luego se lleva la punta roja al gate para encender el mosfet y se vuelve la punta roja al drenador y marcará una resistencia muy baja. este valor de baja resistencia es la que quiero entender pues no es siempre la misma.
2) punta roja en el surtidor y punta negra el drenador ahi marca una resistencia de aprox. 500 a causa del diodo interno del mosfet, luego con la punta roja se toca el gate y se vuelve al surtidor entonces la resistencia ahora igualmente marcara muy bajo o caera el valor.

Bajé las hojas de datos y entendí que esa resistencia es el valor del RDS (ON), la resistencia cuando el mosfet esta encendido. Pues aunque es obvio quisiera que ustedes me confirmen o corrijan.

Pruebas:
MOSFET N°1 2SK2564 El datasheet dice:
RDS(ON) 0.9 Ω (tipico) 1.2 Ω (Max.)
Al probar con mi tester en la escala de diodos marca un valor FIJO de 085 (encendido) tanto en la forma 1 y 2, así efectivamente lo considero bien porque coincide con el datasheet.

MOSFET N° 2 FQD45N03L El datasheet dice:
rDS(ON) 0.018 Ω (Typ.) 0.023 Ω (Max.)
Al probar con mi tester en escala de diodos me da el valor FIJO de 002 (encendido) tanto en la forma 1 y 2 (Sin ver el datasheet este valor era de un corto total y me parecía RARO), pero luego de ver el datasheet veo que coincide con su datasheet así que pienso que esta BIEN.

MOSFET N° 3 2SK3570 El datasheet dice:
RDS(on)1 = 12 mΩ MAX
Al probar con mi tester en la escala de diodos en la FORMA 1 la resitencia cae a 980 e inmediatamente sube a 1, y en la FORMA 2 la resistencia cae hasta 102 y sube muy rapido hasta el NORMAL que hay entre el drenador (punta negra) y sutidor (punta roja) el cual es 490.
He leido que este comportamiento es normal para algunos mosfets, es decir se desactiva muy rapido, o esta dañado este MOSFET?.

Es mejor tener mayor o menor valor de rDS(ON) en los Mosfets???
Espero su correcion o aclaracion sobre estos puntos
Saludos

[cpt.charlie]

Lo recomendable es que un mosfet en conducción tenga una RDS lo más baja posible, esto hace que sea más eficiente, la caída de tensión va a ser menor y el mosfet se calentará menos.

El que se desactive el mosfet hay que tener en cuenta que depende del diseño interno y la capacitancia del gate, por otro lado es posible que estés cortoricuitando las patillas con la mano o no estés probando sobre una superficie ligeramente conductiva, respecto a probarlos en circuito olvidalo ya que el gate se conecta a masa por una resistencia que evita que se dispare accidentalmente.

saludos.

[latinphoenix7]

Los tres ejemplos de Mosfet los vengo probando fuera del circuito y con muchisimo cuidado de no cortocircuitar con las manos con el proposito entender esta prueba de encendido y para eso me he dado el tiempo y estoy haciendo las pruebas sobre una superficie de madera. Como podras notar el mosfet 1 y 2 pasan la prueba y coinciden con el datasheet, sin embargo el mosfet 3 NO, si estaria cometiendo errores entonces me deberia marcar al menos 2 o los 3 diferentes. No entiendo porque el Mosfet 3 no se queda en 0.012ohms cuando esta en ON

Gracias por aportar lo del bajo valor rDSON

[snake66]

Amigo creo que te estas un poco confundido. Lo que estás haciendo para probar los mosfet, es un método rápido de determinar si un mosfet está en buenas condiciones, pero así no vas a poder saber sus parámetros con precisión, como por ejemplo la RDSon.

Cuando pones la punta positiva en la puerta del mosfet, inyectas portadores para llevarlo a condución, pero cuando la sueltas para ponerla en el drenador y medir la RDSon, entonces la puerta queda aislada y puede perder los portadores por muchos motivos: constutución interna del mosfet, conductividad del aire circundante, humedad ambiente..., con lo cual lo que mides no va a tener ninguna precision.

Estas confundido cuando dices que la RDSon que te da la prueba del primer y segundo mosfet está de acuerdo con el datasheet y te explico porque:

El test de diodos de los polímetros, lo que hace es hacer pasar por el componente una corriente de 1 mA por medio de una fuente de corriente y lo que tu lees en la pantalla son los mV entre extremos del componente al ser atravesado por la corriente de 1mA.
El motivo de usar 1mA, no se ha elegido al azar, es porque así la lectura en mV corresponde con el valor en ohmios de la resistencia del componente, ya que R=V/I y como I=1, la resistencia en ohmios corresponde con el voltaje en mV.

En tu prueba 1 dices que mides 85mv que corresponderían a 85 ohmios,que estaría muy por encima del valor del datasheet, en la prueba 2 serían 2 ohmios , un poco mejor que el primero pero también fuera y la tercera 980 ohmios- 102 ohmios.
Esto no quiere decir que el mosfet esté mal, ya que el método usado para medir no es correcto.

Si lo que quieres en medir con cierta precisión la RDSon tienes que montar un pequeño circuito de test con 2 resistencias por ejemplo de 1k y de 10k, pones la fuente del mosfet a masa, el drenador a +12V a traves de la resistencia de 1K y la puerta a +12V a través de la resistencia de 10K.
Mides la tensión entre la resistencia de 1K y la tensión entre drenador y fuente,
La corriente de drenador será entonces la tensión en la resistencia de 1K dividida por 1000.
Y entonces la RDSon será la tensión entre drenador y fuente dividida por la corriente de drenador.